薄膜衬底

砷化镓(GaAs)是继Si之后研究最深入、应用最广泛的一种新型半导体材料。属于III-V族化合物半导体，它具有迁移率高、禁带宽度大、耐高温等特点。主要应用于高频通讯、无线网络及光电子领域，如LED发光器、太阳能电池板等。 特点：可提供本征、轻掺杂、重掺杂（掺Si、Cr、Fe或Zn）的单晶GaAs片。

参数：

生长方法 VGF法
晶体结构 立方晶系
密度 5.37g/cm3
纯度 本征、轻掺杂、重掺杂，N型掺Si,N型掺Te，P型掺Ga
尺寸 Φ2″″×0.35mm、10×10×0.5mm
抛光 单面或双面抛光
表面粗糙度 位错密度＜105
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒
，