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    合肥单晶材料科技有限公司

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      锗单晶

      Ge

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      分类：

      薄膜衬底

      E-H

      关键词：

      锗单晶

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      • 产品描述
      • 用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。
         
        主要性能参数
        生长方法
        提拉法
        晶体结构
        立方
        晶格常数
        a=5.65754 Å
        密 度
        5.323g/cm3
        熔点
        937.4℃
        掺杂物质
        不掺杂
        掺Sb
        掺Ga
        类型
        /
        N
        P
        电阻率
        ＞35Ωcm
        0.01~10Ωcm
        0.01~10Ωcm
        EPD
        ＜4×103∕cm2
        ＜4×103∕cm2
        ＜4×103∕cm2
        尺寸
        10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
        Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
        厚度
        0.5mm，1.0mm
        抛光
        单面或双面
        晶向
        <100>、<110>、<111>、±0.5º
        晶面定向精度:
        ±0.5°
        边缘定向精度:
        2°（特殊要求可达1°以内）
        斜切晶片
        可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
        Ra:
        ≤5Å（5µm×5µm）
        包装
        100级洁净袋，1000级超净室

      上一个

      掺铁钛酸锶

      下一个

      氧化镓晶片

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      公司名称：合肥单晶材料科技有限公司

      地址： 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室

      开户行：交通银行股份有限公司合肥花园街支行

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