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薄膜衬底
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BBO 偏硼酸钡
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BGO
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BSO
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BaF2
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BaTiO3 钛酸钡
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CaF2
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CdS
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CrsrTi03 掺铬钛酸锶
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Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
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Csl(na)
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ERYAG
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GGG
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GSGG 掺钪的钆镓石榴石
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Ga2O3
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GaAs
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GaN on Sapphire
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GaN
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GaP
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GaSb
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Ge
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HoYAP
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InP 磷化铟
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InAs 砷化铟
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KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
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KTaO3 钽酸钾
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LAST 铝酸锶钽镧
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LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
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LGN 铌酸镓镧晶体
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LGS 镓酸锶镧
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LGT 钽酸镓镧
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LaALO3 铝酸镧
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LYSO 硅酸钇镥晶体
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LaSrAlO4 铝酸锶镧
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LiAlO₂ 铝酸锂
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LiF 氟化锂
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LiNbO3 铌酸锂
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LiTa03 钽酸锂
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MgO 氧化镁
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4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
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MgAl2O4 铝酸镁
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MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
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NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
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Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
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NdCaAlO3 铝酸钕钙
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NdGaO3 镓酸钕
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PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT 晶体
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SBN 铌酸锶钡单晶
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SGGG
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Si 硅
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SiC 碳化硅同质外延
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
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TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
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TiO2 二氧化钛
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YAG 钇铝石榴石
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆单晶
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌单晶
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
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金属单晶
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陶瓷玻璃
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外延薄膜
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靶材
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金属丝铂
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BBO 偏硼酸钡
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BGO 锗酸铋
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BSO 硅酸钡晶体
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BaF2 氟化钡单晶
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BaTiO3 钛酸钡
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BaTiO3 钛酸钡
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CaF2 氟化钙
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CdS 硫化镉
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Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
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CrsrTi03 掺铬钛酸锶
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Csl
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ERYAG 掺铒
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GGG 钆镓石榴石
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GSGG 掺钪的钆镓石榴石
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Ga2O3 氧化镓晶片
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GaAs 砷化镓
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GaN 氮化镓晶片
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GaN on Sapphire
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GaP 磷化镓
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GaSb 锑化镓晶片
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Ge 锗单晶
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HoYAP 掺钬铝酸钇单晶
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InAs 砷化铟
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InP 磷化铟晶圆
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KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
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KTaO3 钽酸钾
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LAST 铝酸锶钽镧
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LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
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LGN 铌酸镓镧晶体
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LGS 镓酸锶镧
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LGT 钽酸镓镧
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LYSO
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LaALO3 铝酸镧
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LaSrAlO4 铝酸锶镧
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LiAlO₂ 铝酸锂
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LiF 氟化锂
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LiNbO3 铌酸锂
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LiTa03 钽酸锂
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4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
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MgAl₂O₄ 铝酸镁
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MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
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NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
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Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
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NdCaAlO3 铝酸钕钙
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NdGaO3 镓酸钕
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PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT
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SGGG 单晶
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Si 硅
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SiC 碳化硅
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
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TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
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TiO2 二氧化钛
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
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- 产品描述
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氧化镁(MgO)单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中,是极好的单晶基片,广泛应用于制备铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2"及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件,具有很大的现实及潜在应用市场,本公司可采用化学机械抛光制备出高品质原子级表面的基片。
主要性能参数
生长方法 弧熔法 晶体结构 立方 晶格常数 a=4.130 Å 熔点(℃) 2800 纯度 99.95% 密度(g/cm3) 3.58 硬度 5.5(mohs) 热膨胀系数(/℃) 11.2x10-6 晶体解理面 <100> 光学透过 >90%(200~400nm),>98%(500~1000nm) 介电常数 ε= 9.65 热导率(卡/度 厘米 秒) 0.14 300°K 尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm 厚度 0.5mm,1.0mm 抛光 单抛、双抛或细磨 晶向 <001>±0.5º 晶面定向精度: ±0.5° 边缘定向精度: 2°(特殊要求可达1°以内) 斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 Ra: ≤5Å(5µm×5µm) 主要特点 由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英吋及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 主要用途 用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。 包装 100级洁净袋,1000级超净室


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银行资料
公司名称:合肥单晶材料科技有限公司
地址: 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室
开户行:交通银行股份有限公司合肥花园街支行
账号:3413 2100 0013 0015 27315
税号:9134 0104 MA8N LK2Q 7J
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