-
-
薄膜衬底
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BBO 偏硼酸钡
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BGO
-
BSO
-
BaF2
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BaTiO3 钛酸钡
-
CaF2
-
CdS
-
CrsrTi03 掺铬钛酸锶
-
Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
-
Csl(na)
-
ERYAG
-
GGG
-
GSGG 掺钪的钆镓石榴石
-
Ga2O3
-
GaAs
-
GaN on Sapphire
-
GaN
-
GaP
-
GaSb
-
Ge
-
HoYAP
-
InP 磷化铟
-
InAs 砷化铟
-
KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
-
KTaO3 钽酸钾
-
LAST 铝酸锶钽镧
-
LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
-
LGN 铌酸镓镧晶体
-
LGS 镓酸锶镧
-
LGT 钽酸镓镧
-
LaALO3 铝酸镧
-
LYSO 硅酸钇镥晶体
-
LaSrAlO4 铝酸锶镧
-
LiAlO₂ 铝酸锂
-
LiF 氟化锂
-
LiNbO3 铌酸锂
-
LiTa03 钽酸锂
-
MgO 氧化镁
-
4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
-
MgAl2O4 铝酸镁
-
MgF₂ 氟化镁
-
NDYAG 掺钕
-
NaCl 氯化钠
-
Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
-
Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
-
NdCaAlO3 铝酸钕钙
-
NdGaO3 镓酸钕
-
PMN-PT 铌镁钛酸铅
-
PMNT 晶体
-
SBN 铌酸锶钡单晶
-
SGGG
-
Si 硅
-
SiC 碳化硅同质外延
-
SiO2 二氧化硅
-
SrTiO3 钛酸锶
-
TSAG
-
TbScO3 钪酸铽
-
TeO2 二氧化碲
-
TiO2 二氧化钛
-
YAG 钇铝石榴石
-
YAG 掺铈
-
YALO3 铝酸钇
-
YSZ 氧化锆单晶
-
YVO4 钒酸钇
-
ZnO 氧化锌单晶
-
ZnSe 硒化锌
-
ZnTe 碲化锌
-
-
金属单晶
-
陶瓷玻璃
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外延薄膜
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靶材
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金属丝铂
-
-
-
BBO 偏硼酸钡
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BGO 锗酸铋
-
BSO 硅酸钡晶体
-
BaF2 氟化钡单晶
-
BaTiO3 钛酸钡
-
BaTiO3 钛酸钡
-
CaF2 氟化钙
-
CdS 硫化镉
-
Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
-
CrsrTi03 掺铬钛酸锶
-
Csl
-
ERYAG 掺铒
-
GGG 钆镓石榴石
-
GSGG 掺钪的钆镓石榴石
-
Ga2O3 氧化镓晶片
-
GaAs 砷化镓
-
GaN 氮化镓晶片
-
GaN on Sapphire
-
GaP 磷化镓
-
GaSb 锑化镓晶片
-
Ge 锗单晶
-
HoYAP 掺钬铝酸钇单晶
-
InAs 砷化铟
-
InP 磷化铟晶圆
-
KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
-
KTaO3 钽酸钾
-
LAST 铝酸锶钽镧
-
LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
-
LGN 铌酸镓镧晶体
-
LGS 镓酸锶镧
-
LGT 钽酸镓镧
-
LYSO
-
LaALO3 铝酸镧
-
LaSrAlO4 铝酸锶镧
-
LiAlO₂ 铝酸锂
-
LiF 氟化锂
-
LiNbO3 铌酸锂
-
LiTa03 钽酸锂
-
4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
-
MgAl₂O₄ 铝酸镁
-
MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
-
NaCl 氯化钠
-
Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
-
Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
-
NdCaAlO3 铝酸钕钙
-
NdGaO3 镓酸钕
-
PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT
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SGGG 单晶
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Si 硅
-
SiC 碳化硅
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
-
TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
-
TiO2 二氧化钛
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
-
- 产品描述
-
掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但Nb:SrTiO3具有导电性。掺铌钛酸锶的电阻在0.1-0.001W-cm之间变化随掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同,传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
主要性能参数
Nb:SrTiO3 级别
A
B
C
D
Nb 浓度(wt%)
1.0
0.7
0.5
0.1
电阻率 ohm-cm
0.0035
0.0070
0.05
0.08
迁移率 cm2/vs
9.0
8.5
8.5
6.5
特点
Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100> <110> <111>
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室


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银行资料
公司名称:合肥单晶材料科技有限公司
地址: 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室
开户行:交通银行股份有限公司合肥花园街支行
账号:3413 2100 0013 0015 27315
税号:9134 0104 MA8N LK2Q 7J
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