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PMNT和PIMNT晶体

PMNT

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薄膜衬底

M - P

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PMNT和PIMNT晶体

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产品描述

PMNT和PIMNT是下一代高性能光电材料压电特性：d33>2000PC/N ，k33>92%。
应用领域：压电材料是超声换能器的换能元件，被广泛地应用到工业、农业、交通运输、生活、医疗及军事等诸多领域。
技术特点：采用性能优异的弛豫铁电单晶制备新型超声换能器，可以大大提升换能器的灵敏度和带宽，有利于提高超声成像的质量。
性能指标：开发的产品的相变温度及矫顽场均提高，扩展了弛豫铁电晶体的温度应用范围，允许器件在强场中使用；机电耦合系数k33高达0.94；场致应变S>1.7%；压电系数d33大约比PZT高4～5倍，介电损耗则低1～3。
所处阶段：已经具有了生长大尺寸、高质量、高性能弛豫铁电晶体PIMNT的完整工艺，能够根据应用需求，大规模提供不同尺寸（2英寸、3英寸、4英寸）单晶片。

	PMNT	PIMNT
生长方法	Bridgman method	Bridgman method
密度（g/cm3）	8.1	8.1
结构 ,晶胞常数	四方(假立方) ,a=4.024A	四方(假立方) a=4.024A
居里温度	135-150	160-220
压电系数（Pc/N） TypeA-d₃₃ TypeB-d₃₃ TypeC-d₃₃	1200-1500 1500-2000 2000-2500	1200-1500 1500-2000 2000-2500
介电常数	4000-5500	4000-5500
最大尺寸	4英寸	4英寸