-
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薄膜衬底
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BBO 偏硼酸钡
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BGO
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BSO
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BaF2
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BaTiO3 钛酸钡
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CaF2
-
CdS
-
CrsrTi03 掺铬钛酸锶
-
Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
-
Csl(na)
-
ERYAG
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GGG
-
GSGG 掺钪的钆镓石榴石
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Ga2O3
-
GaAs
-
GaN on Sapphire
-
GaN
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GaP
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GaSb
-
Ge
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HoYAP
-
InP 磷化铟
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InAs 砷化铟
-
KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
-
KTaO3 钽酸钾
-
LAST 铝酸锶钽镧
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LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
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LGN 铌酸镓镧晶体
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LGS 镓酸锶镧
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LGT 钽酸镓镧
-
LaALO3 铝酸镧
-
LYSO 硅酸钇镥晶体
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LaSrAlO4 铝酸锶镧
-
LiAlO₂ 铝酸锂
-
LiF 氟化锂
-
LiNbO3 铌酸锂
-
LiTa03 钽酸锂
-
MgO 氧化镁
-
4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
-
MgAl2O4 铝酸镁
-
MgF₂ 氟化镁
-
NDYAG 掺钕
-
NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
-
Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
-
NdCaAlO3 铝酸钕钙
-
NdGaO3 镓酸钕
-
PMN-PT 铌镁钛酸铅
-
PMNT 晶体
-
SBN 铌酸锶钡单晶
-
SGGG
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Si 硅
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SiC 碳化硅同质外延
-
SiO2 二氧化硅
-
SrTiO3 钛酸锶
-
TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
-
TiO2 二氧化钛
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YAG 钇铝石榴石
-
YAG 掺铈
-
YALO3 铝酸钇
-
YSZ 氧化锆单晶
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌单晶
-
ZnSe 硒化锌
-
ZnTe 碲化锌
-
-
金属单晶
-
陶瓷玻璃
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外延薄膜
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靶材
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金属丝铂
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-
-
BBO 偏硼酸钡
-
BGO 锗酸铋
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BSO 硅酸钡晶体
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BaF2 氟化钡单晶
-
BaTiO3 钛酸钡
-
BaTiO3 钛酸钡
-
CaF2 氟化钙
-
CdS 硫化镉
-
Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
-
CrsrTi03 掺铬钛酸锶
-
Csl
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ERYAG 掺铒
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GGG 钆镓石榴石
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GSGG 掺钪的钆镓石榴石
-
Ga2O3 氧化镓晶片
-
GaAs 砷化镓
-
GaN 氮化镓晶片
-
GaN on Sapphire
-
GaP 磷化镓
-
GaSb 锑化镓晶片
-
Ge 锗单晶
-
HoYAP 掺钬铝酸钇单晶
-
InAs 砷化铟
-
InP 磷化铟晶圆
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KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
-
KTaO3 钽酸钾
-
LAST 铝酸锶钽镧
-
LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
-
LGN 铌酸镓镧晶体
-
LGS 镓酸锶镧
-
LGT 钽酸镓镧
-
LYSO
-
LaALO3 铝酸镧
-
LaSrAlO4 铝酸锶镧
-
LiAlO₂ 铝酸锂
-
LiF 氟化锂
-
LiNbO3 铌酸锂
-
LiTa03 钽酸锂
-
4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
-
MgAl₂O₄ 铝酸镁
-
MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
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NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
-
Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
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NdCaAlO3 铝酸钕钙
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NdGaO3 镓酸钕
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PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT
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SGGG 单晶
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Si 硅
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SiC 碳化硅
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
-
TSAG
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TbScO3 钪酸铽
-
TeO2 二氧化碲
-
TiO2 二氧化钛
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
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- 产品描述
-
SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。
- 主要性能参数
- 生长方法
- 水热法
- 晶体结构
- 六方
- 晶格常数
- a=4.914Å c=5.405 Å
- 熔点(℃)
- 1610℃(相转变点:573.1℃)
- 密度
- 2.684g/cm3
- 硬度
- 7(mohs)
- 热熔
- 0.18cal/gm
- 热导率
- 0.0033cal/cm℃
- 热电常数
- 1200uv/℃(300℃)
- 折射率
- 1.544
- 热膨胀系数
- α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
- Q值
- 1.8×106 min
- 声速、声表级
- 3160(m/sec)
- 频率常数
- 1661(kHz/mm)
- 压电偶合
- K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
- 晶向
- Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
- 主定位边:根据客户要求定方向±30分
- 次定位边:根据客户要求定方向
- 籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm
- 抛光面
- 外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
- 工作区域:基片直径-3mm
- 弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
- 工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
- 坑和划痕:每片<3,每100片<20
- 标准厚度
- 0.5mm±0.05mm TTV<5um
- 标准直径
- Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
- 主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
- 次定位边:10mm±1.5mm


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公司名称:合肥单晶材料科技有限公司
地址: 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室
开户行:交通银行股份有限公司合肥花园街支行
账号:3413 2100 0013 0015 27315
税号:9134 0104 MA8N LK2Q 7J
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