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薄膜衬底
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BBO 偏硼酸钡
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BGO
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BSO
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BaF2
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BaTiO3 钛酸钡
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CaF2
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CdS
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CrsrTi03 掺铬钛酸锶
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Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
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Csl(na)
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ERYAG
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GGG
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GSGG 掺钪的钆镓石榴石
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Ga2O3
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GaAs
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GaN on Sapphire
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GaN
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GaP
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GaSb
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Ge
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HoYAP
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InP 磷化铟
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InAs 砷化铟
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KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
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KTaO3 钽酸钾
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LAST 铝酸锶钽镧
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LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
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LGN 铌酸镓镧晶体
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LGS 镓酸锶镧
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LGT 钽酸镓镧
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LaALO3 铝酸镧
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LYSO 硅酸钇镥晶体
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LaSrAlO4 铝酸锶镧
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LiAlO₂ 铝酸锂
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LiF 氟化锂
-
LiNbO3 铌酸锂
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LiTa03 钽酸锂
-
MgO 氧化镁
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4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
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MgAl2O4 铝酸镁
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MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
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NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
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Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
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NdCaAlO3 铝酸钕钙
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NdGaO3 镓酸钕
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PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT 晶体
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SBN 铌酸锶钡单晶
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SGGG
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Si 硅
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SiC 碳化硅同质外延
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
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TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
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TiO2 二氧化钛
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YAG 钇铝石榴石
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆单晶
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌单晶
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
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-
金属单晶
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陶瓷玻璃
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外延薄膜
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靶材
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金属丝铂
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BBO 偏硼酸钡
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BGO 锗酸铋
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BSO 硅酸钡晶体
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BaF2 氟化钡单晶
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BaTiO3 钛酸钡
-
BaTiO3 钛酸钡
-
CaF2 氟化钙
-
CdS 硫化镉
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Ce:YAG 掺铈钇铝石榴石
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CrsrTi03 掺铬钛酸锶
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Csl
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ERYAG 掺铒
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GGG 钆镓石榴石
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GSGG 掺钪的钆镓石榴石
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Ga2O3 氧化镓晶片
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GaAs 砷化镓
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GaN 氮化镓晶片
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GaN on Sapphire
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GaP 磷化镓
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GaSb 锑化镓晶片
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Ge 锗单晶
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HoYAP 掺钬铝酸钇单晶
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InAs 砷化铟
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InP 磷化铟晶圆
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KTa1-xNbxO3 钽铌酸钾
-
KTaO3 钽酸钾
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LAST 铝酸锶钽镧
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LBO(LiB3O5) 三硼酸锂
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LGN 铌酸镓镧晶体
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LGS 镓酸锶镧
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LGT 钽酸镓镧
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LYSO
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LaALO3 铝酸镧
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LaSrAlO4 铝酸锶镧
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LiAlO₂ 铝酸锂
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LiF 氟化锂
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LiNbO3 铌酸锂
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LiTa03 钽酸锂
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4H SiC N TyPe 碳化硅单晶
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MgAl₂O₄ 铝酸镁
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MgF₂ 氟化镁
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NDYAG 掺钕
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NaCl 氯化钠
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Nb:SrTiO3 掺铌钛酸锶
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Nd:SrTi03 掺钕钛酸锶
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NdCaAlO3 铝酸钕钙
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NdGaO3 镓酸钕
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PMN-PT 铌镁钛酸铅
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PMNT
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SGGG 单晶
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Si 硅
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SiC 碳化硅
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SiO2 二氧化硅
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SrTiO3 钛酸锶
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TSAG
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TbScO3 钪酸铽
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TeO2 二氧化碲
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TiO2 二氧化钛
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YAG 掺铈
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YALO3 铝酸钇
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YSZ 氧化锆
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YVO4 钒酸钇
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ZnO 氧化锌
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ZnSe 硒化锌
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ZnTe 碲化锌
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- 产品描述
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钆镓石榴石(GGG)是用于磁光薄膜的专用基片。在光通讯设备中,需大量使用1.3μ及1.5μ的光隔离器,其核心部件为置于磁场中的YIG或BIG薄膜。不同切向的GGG单晶基片可以做到与这类磁光材料晶格的最佳匹配,从而保证YIG、BIG薄膜成功的外延生长。GGG良好的物理、机械性能和化学稳定性也保证薄膜制备过程中对基片的各项要求。GGG也是制作微波隔离器的最佳基片材料。主要性能参数晶体结构立方生长方法提拉法晶格常数a=12.376Å,(Z=8)熔点(℃)1800纯度99.95%密度(g/cm3)7.09硬度6-7(mohs)折射率1.95尺寸10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm厚度0.5mm,1.0mm抛光单面或双面晶向<111>±0.5º晶面定向精度:±0.5°边缘定向精度:2°(特殊要求可达1°以内)斜切晶片可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片Ra:≤5Å(5µm×5µm)包装100级洁净袋,1000级超净室


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银行资料
公司名称:合肥单晶材料科技有限公司
地址: 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室
开户行:交通银行股份有限公司合肥花园街支行
账号:3413 2100 0013 0015 27315
税号:9134 0104 MA8N LK2Q 7J
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