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    合肥单晶材料科技有限公司

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      碳化硅单晶

      4H SiC N TyPe

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      分类：

      薄膜衬底

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      关键词：

      碳化硅单晶

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      • 产品描述
      • SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、高温以及耐辐照的电子器件。
         

        主要性能参数

        生长方法籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）
        晶体结构六方
        晶格常数a=3.08 Å     c=15.08 Å
        密度3.21 g/cm3
        方向生长轴或 偏<0001> 3.5 º
        带隙3.26 eV (间接)
        硬度9.2（mohs）
        热传导@300K5 W/ cm.k
        介电常数e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
        尺寸10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
        Dia2",Di3",Dia4"
        厚度0.35mm，
        抛光单面或双面
        晶向<0001>±0.5º
        晶面定向精度:±0.5°
        边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）
        斜切晶片可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
        Ra:≤5Å（5µm×5µm）
        包装100级洁净袋，1000级超净室

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      铌镁钛酸铅-钛酸铅单晶

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      掺钕

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