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      砷化镓

      GaAs

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      砷化镓

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      • 产品描述
      • 砷化镓(GaAs)是继Si之后研究最深入、应用最广泛的一种新型半导体材料。属于III-V族化合物半导体,它具有迁移率高、禁带宽度大、耐高温等特点。主要应用于高频通讯、无线网络及光电子领域,如LED发光器、太阳能电池板等。 特点:可提供本征、轻掺杂、重掺杂(掺Si、Cr、Fe或Zn)的单晶GaAs片。


        参数:

        生长方法 VGF法
        晶体结构 立方晶系
        密度 5.37g/cm3
        纯度 本征、轻掺杂、重掺杂,N型掺Si,N型掺Te,P型掺Ga
        尺寸 Φ2″″×0.35mm、10×10×0.5mm
        抛光 单面或双面抛光
        表面粗糙度 位错密度<105
        封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒

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      地址:安徽省合肥市蜀山区山湖路558号

      银行资料

       

      公司名称:合肥单晶材料科技有限公司

      地址: 安徽省合肥市蜀山区山湖路号综合楼1栋401室

      开户行:交通银行股份有限公司合肥花园街支行

      账号:3413 2100 0013 0015 27315

      税号:9134 0104 MA8N LK2Q 7J

      营业执照
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