产品概述：氧化锌（ZnO)晶体基片广泛应用于GaN(蓝光LED)外延基片，宽波段连接器件等领域。
氧化锌单晶是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
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产品概述：氧化锌（ZnO)晶体基片广泛应用于GaN(蓝光LED)外延基片，宽波段连接器件等领域。
氧化锌单晶是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
| 晶体结构 | 六方(a=3.252Å,c=5.313Å) |
| 纯度 | 99.99% |
| 热膨胀系数 | 6.5 x 10-6 /℃ at A axis, 3.7 x 10-6 /℃ at A axis |
| 晶向 | <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o |
| 尺寸 | 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm |
| 抛光 | 单面或双面抛光 |
| 表面粗糙度 | ≤5Å |
| 封装 | 100级超净袋、单片或多片晶元盒 |
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