掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片是最早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度，高强度，高韧性，极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等等优良的物化性能，氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等各种领域获得广泛的应用。 
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掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片是最早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度，高强度，高韧性，极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等等优良的物化性能，氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等各种领域获得广泛的应用。 |
主要性能参数
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晶体结构
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立方
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晶格常数
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a=5.147 Å
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熔点（℃）
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2700
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密度（g/cm3）
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6.0
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硬度
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8-8.5（mohs）
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纯度
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99.99%
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热膨胀系数（/℃）
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10.3×10-6
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介电常数
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ε=27
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生长方法
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弧熔法
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
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dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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抛光
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单面或双面
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晶向
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<001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°（特殊要求可达1°以内）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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