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SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、高温以及耐辐照的电子器件。

主要性能参数
生长方法	籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）
晶体结构	六方
晶格常数	a=3.08 Å c=15.08 Å
密度	3.21 g/cm³
方向	生长轴或偏<0001> 3.5 º
带隙	3.26 eV (间接)
硬度	9.2（mohs）
热传导@300K	5 W/ cm.k
介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
尺寸	Dia2",Di3",Dia4"
厚度	0.35mm，
抛光	单面或双面
晶向	<0001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包装	100级洁净袋，1000级超净室

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