NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。 
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NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。 |
主要性能参数
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晶体结构
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正交
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晶胞参数Å
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a=5.43、b=5.50、c=7.71
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熔点
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1600℃
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密度
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7.57g/cm3
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介电常数
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25
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生长方法
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提拉法
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
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Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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抛光
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单面或双面
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晶向
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＜100＞ ＜110＞ ＜111＞
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°（特殊要求可达1°以内）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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