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InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。 |
晶体
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结构
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晶向
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熔点
oC
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密度
g/cm3
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禁带宽度
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InP
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立方,
a=5.869 A
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<100>
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1600
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4.79
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1.344
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主要性能参数
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单晶
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掺杂
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导电
类型
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载流子浓度
cm-3
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迁移率(cm2/V.s)
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位错密度(cm-2)
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标准基片
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InP
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本征
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N
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(0.4-2)*1016
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(3.5-4)*103
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5*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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S
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N
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(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
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(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
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3*104
2*103
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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Zn
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P
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(0.6-2)*1018
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70-90
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2*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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InP
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Fe
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N
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107-108
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³2000
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3*104
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Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 |
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抛光
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单面或双面
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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